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商品編號：89256

標準型原子層沉積機ALD

價格：詢價

產(chǎn) 地：更新時間：2021-01-19 15:36

品牌：型號：PICOSUN R-200

狀態(tài)：正常點擊量：1544

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PICOSUN™ R-200標準型ALD

技術(shù)參數(shù)

。襯底尺寸和類型 50-200 mm /單片
。156 mm x 156 mm太陽能硅片
。3D 復雜表面襯底
。粉末與顆粒
。多孔，通孔，高深寬比（HAR）樣品
。工藝溫度：50 - 500 °C , 可選更高溫度
。基片傳送選件：氣動升降（手動裝載），預真空室安裝磁力操作機械手（Load lock ）
。前驅(qū)體液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源，4根獨立源管線，*多加載6個前驅(qū)體源
。重量：350 kg
。尺寸： (W x H x D) 取決于選件
-*小146 cm x 146 cm x 84 cm
-189 cm x 206 cm x 111 cm
。選件：PICOFLOW™擴散增強器，集成橢偏儀，QCM， RGA，N2 發(fā)生器，尾氣處理器，定制設計，手套箱集成（用于惰性氣體下裝載）
。驗收標準：標準設備驗收標準為 Al2O3工藝

PICOSUN™ R系列設備提供高質(zhì)量ALD薄膜的沉積技術(shù)，并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)極佳的均勻性，包括*具挑戰(zhàn)性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。

我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學物提供的更高***的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度*小的薄膜層。在*基本的PICOSUN™ R系列配置中可以選擇多個獨立的，完全分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源。

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標準型原子層沉積機ALD

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